时间: 2024-06-30 03:26:10 | 作者: 非标异性件定制
金融界2023年12月2日音讯，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司请求一项名为“一种沟槽MOS的制备工艺及沟槽MOS器材”的专利，公开号CN117153676A，请求日期为2023年8月。
专利摘要显现，本请求经过本请求的制备工艺在多个所述沟槽中从接近沟槽内壁向远离沟槽内壁顺次成长榜首氧化硅层、淀积氮化硅层和淀积第二氧化硅层；经过将深化外延层的底部榜首栅极多晶硅作为场板，增强沟槽之间的横向耗尽，较厚的沟槽底部场氧能按捺电场的会集，这样就可运用掺杂浓度更浓的外延层来完成相同的耐压，以此来下降导通电阻。
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